双向可控硅怎么测量好坏
方法一：测量极间电阻
1. 使用万用表置于R×1k档，测量T2-T1和T2-G之间的正反向电阻，理想情况下接近∞欧姆。
2. 使用万用表置于R×10档，测量T1-G之间的正反向电阻，理想情况下在几十欧姆。
3. 如果T2-T1或T2-G之间的正反向电阻较小或等于零，而T1-G之间的正反向电阻很小或接近于零，则可能性能变坏或损坏。
方法二：检查触发导通能力
1. 使用万用表置于R×10档，进行以下测试：
将黑表笔接T2，红表笔接T1，给T2加正向电压，然后短接G与T1（或T2），观察万用表指针是否偏转并停留在固定位置。
将黑表笔接T1，红表笔接T2，给T1加正向电压，然后短接G与T1（或T2），重复上述步骤。
如果两次测试结果相同，说明双向可控硅是好的。
方法三：使用示波器进行响应时间测试
1. 连接一个适当的电路，施加触发脉冲信号到双向可控硅的门极，使用示波器观察导通的时间延迟。
方法四：外观检查和引脚识别
1. 检查引脚是否有弯曲或断裂，封装是否完好无损。
2. 使用万用表设置二极管测试模式，确定主端子（T1和T2）和控制极（G）。
方法五：正向和反向特性测试
1. 测试正向导通和正向阻断，确保有正确的正向电压读数。
2. 测试反向导通和反向阻断，确保有高阻抗状态。
方法六：门极触发测试
1. 测试门极触发，施加小电压到门极，观察主端子间电压是否降低，表明双向可控硅导通。
2. 测试门极关断，移除门极电压，主端子间电压应恢复到高阻抗状态。
方法七：温度影响测试
1. 在不同温度下重复上述测试，观察双向可控硅的特性变化。
请根据您的具体情况选择合适的测试方法。
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